Qualcomm подготвя Snapdragon 835 за януари – първи бенчмаркове
Току-що се оказа, че дългоочакваният чип Snapdragon 835 ще бъде представен на изложението CES 2017, което ще се проведе между 5 и 8 януари в Лас Вегас, Невада. Получихме тази информация от туит на Qualcomm, който гласи: “Нашият Snapdragon 835 ще се появи на фокус на CES 2017”.
Процесорът носи със себе си много шум, защото ще отбележи въвеждането на 10 nm в мобилните процесори, заедно с Exynos 8895 от Samsung. Успяхме да се сдобием с известна информация предварително, тъй като Snapdragon 835 се появи в GeekBench 4.
Ето какво получихме. Както можете да видите, изглежда, че става дума за осемядрен процесор с тактова честота 1,90 GHz. Резултатите както при едноядрените, така и при многоядрените процесори са малко скромни и сме изненадани да видим това. Например сегашното поколение Snapdragon 821 има подобен резултат при едноядрените процесори, а чипът Kirin 960 на Huawei надминава Snapdragon 835 (1949 срещу 1844 при едноядрените и 6439 срещу 5426 при многоядрените).
Geekbench 4 (Multi-Score) | Разлика | |
Qualcomm Snapdragon 835 | 5426 | |
Qualcomm Snapdragon 821 | 4210 | -22% |
Huawei Kirin 960 | 6439 | +19% |
Дали Snapdragon 835 с неговия 10 nm производствен процес ще бъде следващото голямо нещо, или ще се провали, е въпрос, на който само времето ще даде отговор.
Ако търсите нов смартфон или сте забравили да купите коледен подарък навреме, можете да разгледате някои от наличните оферти ТУК.